学制：硕士

入学时间：2026.03

研究方向：二维半导体发光二极管的研究

电子邮箱：3243165857@qq.com

发表论文：

1.Hu Z,# Xia W,# Fu Q,#* Wu Z,#, Jiang X, Han X, Wang S, Sun X, Chen J, Zhao T, Liu X, Duan Z, Huang Y, Wang J, Lu J, Zhong F,* Zhang Q,* Ni Z*. Highly Efficient Dual-Gated Light-Emitting Diodes Based on Suspended Monolayer WSe₂. Nano Lett., 2026, 26, 651-659.

发表专利：

1.倪振华,傅强,胡振良,夏玮乔,吴治聪,章琦,吕俊鹏.一种基于悬空过渡金属二硫属化物的高发光效率双栅极发光二极管及其制备方法:202510383303.4[P].2025-03-28